Магний, титан, редкие металлы, полупроводники | |
Название | Исследования по технологии высокоемких танталовых конденсаторных порошков |
Автор | Орлов В. М., Колосов В. Н., Прохорова Т. Ю., Мирошниченко М. Н. |
Информация об авторе | ИХТРЭМС КНЦ РАН В. М. Орлов, зав. лаб., e-mail: orlov@chemy.kolasc.net.ru; В. Н. Колосов, вед. науч. сотр.; Т. Ю. Прохорова, ст. науч. сотр.; М. Н. Мирошниченко, мл. науч. сотр. |
Реферат | Проведены исследования по технологии осколочных и натриетермических танталовых конденсаторных порошков. Описана технология осколочных агломерированных конденсаторных порошков с зарядом 5000–7000 мкКл/г. Ее характерными особенностями являются совмещение процессов дегидрирования и агломерации, а также утилизация водорода, выделяющегося в процессе дегидрирования с последующим его использованием для получения гидрида. Выполнено комплексное исследование процесса получения натриетермических порошков и показано, что наиболее перспективным методом является восстановление из расплава, содержащего гептафторотанталат калия (жидкофазное восстановление). При этом разработаны способы, позволяющие снизить содержание аппаратурных примесей в порошках и увеличить их поверхность. Показано, что кислород, введенный в содержащий танталат расплав на начальной стадии восстановления, оказывает влияние на рост частиц порошка и после добавления в расплав новых порций фторотанталата. Получены натриетермические танталовые конденсаторные порошки с удельным зарядом от 10 000 до 70 000 мкКл/г. Работа выполнена при финансовой поддержке гранта «Ведущие научные школы» № НШ 6722.2010.3 |
Ключевые слова | Конденсаторный танталовый порошок, гептафторотанталат калия, натриетермическое восстановление, термообработка, гидрирование, дегидрирование, агломерация, удельный заряд, анод, конденсатор |
Библиографический список | 1. Mosheim E. Tantalum and niobium : annual review of statistics // T. I. C. bulletin. 2003. N 116. P. 2–8. 11. Critical oxygen content in porous anodes of solid tantalum capacitors / Yu. Pozdeev-Freeman, Yu. Rozenberg, A. Gladkikh et al. / J. Mat. Science : Mat. Electronics. 1998. Vol. 9. P. 309–311. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |